Nun wurde das Nitrid mit heißer Phosphorsäure selektiv geätzt, um die Bereiche freizulegen in denen sich später die aktiven Gebiete der Transistoren befinden.
Dies ist möglich da sich zwischen der Siliciumoberfläche und dem Nitrid unvermeidlich ein natürliches Oxid als Padoxid befindet und als Haftvermittler dient.
